HVI 为TI 美国本土每年一届的系统级电源设计研讨会。在这个研讨会中,TI 的高级工程师们和大家讨论常见的系统级电源设计中的各类问题,并介绍 TI 最新的创新电源解决方案。 会议讨论的主题涵盖从 PFC 到隔离式栅极驱动器,包括宽带隙解决方案以及电动汽车(EV)等应用主题。 本系列培训收录了多个 HVI 研讨会上的讨论主题,从功率因数校正(PFC)的基本原理到设计多功率电源系统,赶快开始学习吧!

 

课程列表

2019 课程

  • 1. HVI 系列: 门驱动器设计

    最常见栅极驱动器缺陷及如何解决, 内容包括与驱动器偏置、自举电源以及生成高侧偏置所必需的组件选择相关的缺陷。讨论功能引脚开路的影响以及栅极驱动器电路中 dv/dt 噪声的影响。寄生效应,展示与糟糕的布局相关的问题及其纠正。

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  • 2. HVI 系列: 高功率密度和高效率适配器的设计考虑

    讨论高功率密度、高效率适配器的设计注意事项。涉及驱动交流/直流适配器的基本要求并简单介绍有源钳位反激式拓扑和德州仪器 (TI) 的 UCC28780 控制器。还将涉及高功率密度适配器的一些重要设计注意事项。回顾基于 GaN 的 65 瓦 USB PD 适配器设计。

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  • 3. HVI 系列: 解除有源钳反激回路补偿的神秘化

    本次演示的主题是揭开有源钳位反激式环路补偿的神秘面纱,本部分涵盖了针对 ACF 的转换模式和 CCM 模式进行的小信号属性分析

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  • 4. HVI 系列: 用GaN设计可靠的高密度功率解决方案

    探讨如何利用 TI 的 GaN 功率级设计可靠的高密度电源解决方案。介绍 GaN 在电源性能方面的优势以及 TI 在 GaN 功率级中集成驱动器和保护功能的益处。说明GaN 相较于硅超结 MOSFET 的优势以及 TI 集成功率级相较于分立式 GaN 器件的优势。

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  • 5. HVI 系列: 掌握高压门驱动器设计的艺术和基础

    探讨专为 UPS、电信和服务器等各种应用中的MOSFET、IGBT 和宽带隙器件(例如碳化硅和氮化镓)设计的高压栅极驱动器。介绍栅极驱动器应用并说明低侧驱动器、高侧和低侧驱动器以及隔离式栅极驱动器。深入探讨栅极驱动器的设计注意事项,包括寄生效应、硬软开关、高 dv/dt 和 di/dt 以及隔离式栅极驱动器注意事项,以介绍如何最大限度地提高栅极驱动器的性能。

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  • 6. HVI 系列: 掌握隔离门驱动器的稳健性 - CMTI 的深入研究

    共模瞬态抗扰度CMTI用于处理两个独立接地基准(例如隔离式栅极驱动器)之间的差分电压。在本次培训中,我们会介绍 TI 的隔离器栅极驱动器系列,并深入讨论栅极驱动器隔离、CMTI 的定义、标准要求以及验证、测量和设计注意事项。

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2018 课程

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