Engineer It 系列:如何使用压摆率控制来降低EMI

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[音乐播放] 大家好。 我叫 Terry Allinder。 是德州仪器 (TI)的一名首席 应用工程师。 我今天在此向大家介绍我们新研发的 一款控制器,LM5140。 这款产品的主要特点之一是压摆率控制。 正确使用压摆率控制, 可以减少系统的 电磁干扰。 左边显示的是同步降压电路的原理图 右边是开关节点波形, 以及电路寄生参数造成的振铃。 现在这个振铃会 对系统产生坏的影响,因为它会产生 电磁干扰. 我们所做的是 ,我们根据 CISPR 25 运行传导发射。 这些是分类限制,我们 可以看到,在30 到 108 MHz 范围内, 传导发射超出了 CISPR 限制。 如今,对于今天的大多数系统,传导发射 非常重要,因此,我们需要想办法解决 如何减少振铃,从而降低 传导发射的等级。 在过去,我们传统的做法是 通过增加MOSFET的串联电阻 来降低 FETs 的开关 时间,从而 减少开关节点的上升下降时间, 进而帮助减少振铃。 除此之外,我们还会在开关节点 和地之间加缓冲电路。 缓冲电路的作用是减小振铃, 从而帮助降低传导发射。 替代此方法可以使用具有压摆率 控制的 LM5140。 使用转换速率控制,我们所做的是 独立输出 MOSFET驱动器拉/灌 引线的引脚,让您可以独立控制 高侧和低侧MOSFET 的开通 和关断时间。 这样,您便可以更好地控制开关节点的 上升和下降时间,从而帮助减少振铃。 现在,如果正确选择了电阻, 不仅可以减少传导发射, 还能够提高系统效率。 我所做的是使用这个 EVM,同一个 EVM, 实施压摆率控制功能。 这些是我最后使用的电阻值。 对于大多数应用程序,您会发现 这确实是一个良好的开端。 所以,使用压摆率控制, 当我们观察开关节点电压时, 可以看到控制开启和关断时间, 并减少与之相关的所有振铃。 我们用压摆率控制来测试 EVM, 并测量传导发射。 这时使用了压摆率率控制。 这是我之前演示的没有压摆率控制 的情况。 这些是 CISPR的分类限制。 我们可以看到,从30 到 108 MHz 范围, 我们将传导发射减少了 至少 15 dB 毫伏。 总的来说,压摆率控制比较有优势, 我们可以看到传导发射减少了 15 dB 微伏,我们可以更好地控制开关节点 的上升和下降时间, 从而减少传导发射。 我们不仅可以减少发射, 还能够优化达到可能的最高效率。 因为我不使用缓冲电路和 其他的一些外部元件, 这样元件数量减少了。 感谢您观看本视频。 若想了解更多详情,请访问 TI.com/product/LM5140-Q1。
课程介绍 共计12课时,1小时49分25秒

Engineer It 系列

电源 LDO 噪声 抑制比 PSRR

这是一个电源知识系列。 帮助您更好地理解 LDO,帮助您设计更好的 ADC供电,测量LDO噪声和电源抑制比,使用均流LDO来提供5A或更高电流,测量热敏电阻等 我们将 讨论如何 测量 LDO 噪声 和电源抑制比, 或者说 PSRR。

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hawkier

学习了, 视频很棒

2020年06月02日 13:05:30

topwon

不错,简单明了的对比说明

2020年02月11日 14:36:06

大明58

好好学习天天向上。。。

2019年06月21日 19:58:27

zwei9

学习学习

2019年05月25日 16:35:29

hellokt43

好好学习天天向上。。。

2019年04月18日 09:57:35

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