1.1 关于提高电机驱动的性能和可靠性

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大家好 欢迎来到TI Webnar 我叫郭苏漩 我是TI high power-drivers的系统工程 今天想给大家介绍的topic主要是两种简单的方法 能够提高电机驱动逆变器的性能和可靠性 这个是我们今天的agenda 首先想给大家介绍一下TI容性隔离 技术 然后我们会以交流电机的应用作为范例 分析这个系统里面会有的challenge 和我们的一些解决方法 然后会给大家提供我们一个新的解决方案 就是我们和光格的输入能够兼容的一个新的隔离驱动芯片 接下来想给大家介绍的就是如果说这个系统里面需要一些保护 我们的一些新的解决方式 这里会以电动车电机驱动为范例 给大家做一些介绍 最后呢 给大家介绍对于碳化硅或者IGBT大功率模块来说 一些新的解决方案 最后是TI的其他一些resource 这里给大家介绍的是TI的容性隔离技术 TI的容性隔离技术是基于二氧化硅材料的 目前在工业建立和其他材料做对比了 二氧化硅材料是能够提供最高的绝缘能力的 现在目前TI所有的这个隔离驱动 包括其他的那个隔离芯片都是基于这个二氧化硅材料这个技术 现在TI加强型隔离技术能是 通过把原边的逻辑输入信号和副边的输出信号 通过两个绝缘电容隔离实现的. 这两个绝缘电容 并不是说说是实际的电容 从这个下面的截面图上面 大家可以看到说 这是第1个电容的是输入侧的这个带上的电容 是通过层跟层之间的二氧化硅的这个虚拟电容来实现的 原边有一个电容 然后副边呢在右边的带上面 那也是通过层跟层之间的绝缘 有一个虚拟的电容 这样的话能够保证原副边是通过两个绝缘层次实现的 这样每一个电容的最高是能够实现3.3千伏RMS的绝缘能力 所以两个电容串在一起的话 能够实现5.7千伏RMS的绝缘能力 这样做好处是在于因为每一边的电容能实现一个basic isolation 这样不管是原边的这个带的隔离出现问题 或者是副面的这个带的各位出现问题的话 原副边之间也能够保证一个basic isolation 不会说出是完全失去这个原副边的隔音效果 二氧化硅这个材料对于对于温度和湿度的变化来说都不是很敏感 并且现在TI对二氧化硅做隔离的这个技术已经非常成熟了 所以就能够精确的控制这个这个电容隔离效果 那么现在市面上主要有这三种隔离的技术 主要是TI使用的容性隔离技术 还有其他的一些厂家使用的一些光耦隔离的技术 还有一些厂家使用电磁隔离的技术 那么就是容性隔离的技术 和其他的两种隔离的技术比较有什么优点呢 首先来说 容隔技术是有比较长的一个寿命的 然后呢 第2个优点就说他的绝缘电压能够做得比较高 第三个优点就是能够实现比较好的CMTI 第四个优点啊就说这个他原副边的propagation delay比较小 最后一个有点 容性隔离也不会产生很大的电磁干扰 那么光隔技术和容隔就是来比较 那是有这么几点区别 首先一个 光隔技术的寿命是没有办法标定的 因为在去标定光隔技术的一些标准的时候呢 是没有去把寿命这个点放在标准里 但是我们在标定融隔技术的时候呢是有TTDB 这个寿命的标定的 并且光耦是有一个长时间来说的way out问题 但是容隔技术是不会有的 就是说 从这个角度上面来说容隔技术比光隔的技术的 使用的芯片来说那寿命要长一些 然后第2点的就是光隔技术和容隔技术来比较 对于隔离电压的控制上容隔技术是会能够做得比较高 然后第3点呢 容隔技术的CMPI比光隔技术要好 因为就是通过二氧化硅 层跟层之间的就是寄生电容控制来说 容隔技术可以做得非常小 但是光隔技术的CMTI是没有容隔技术那样精确的control 那么最后一点就是光隔技术 它的propagation delay会比容隔技术业务要长 光隔芯片的一般他的propagation delay能够到数百个纳秒级别 但容隔芯片呢目前我们能够做到最小的propagation delay是小于20纳秒 所以 对于容隔芯片来说 从原边到副边的propagation delay 能做到精确的control 能做得很小 电磁隔离技术也是常用的隔离技术 电磁隔离技术主要是通过原副边.两个隔离线圈来实现信号的传输的 那么这两个隔离线圈呢 它的问题主要在于它的emi电磁干扰会比容隔技术要严重一些 并且从CMTI的角度上面来说 目前容隔技术是能够取得最好的CMTI 电磁隔离的技术CMTI会稍微差一些 然后从这个工作电压来说 电磁隔离技术的工作电压 工作电压隔离电压 会比容隔技术低一些 这里以交流电机Power stage为例 给大家介绍一下对隔离驱动的一些要求 对于这个交流电机来说 系统里面是需要六个隔离的那个驱动 所以就说因为原边是通过MCU或者DSP过来 所以原副边之间是需要从低压到高压做一个隔离 交流电机来说 那一些比较常见的系统设计的一些challenge主要在于 首先呢进电机工作环境是一个比较Noisy的环境 这是一个 另外一个对于power stage来说 那提高效率和可靠性对电力驱动都是非常重要的 对于电机驱动系统来说 隔离驱动是一个关键的part 那么现在我们看到比较常见的做法呢 还是用光隔的芯片制作 但是我们前面提到的 首先呢然后光隔的驱动 它的寿命比较低 propagation delay比较高 CMTI比较低 所以呢这就导致系统的效率和抗干扰能力都会比较差 所以由于现在对系统的这个要求越来越高 希望能够提高系统的效率和可靠性 我们有一款新的芯片能够满足这个对于性能的需求 好的 那现在给大家介绍一款这个我们新推出的UCC23513的芯片 这款芯片的是SOS6角的 宽距芯片 是能够支持的加强隔离 然后UCC23513这款芯片是和传统的光耦芯片 soic6角是pin对pin的 这款芯片主要的优势在于 首先它支持环境温度125度 相比于传统的光隔芯片105度来说 它能够支持更高的环境温度 所以在现在高要求的电机驱动应用上这款芯片是有优势 能够去减少散热系统的体积 然后呢从使用寿命来说 UCC23513这款芯片的寿命比传统的光隔芯片要长 因为这个芯片的输入不会有长时间积累的[听不清]的问题 但是 因为光隔芯片了是使用photodiode的 所以这个photodiode LED会随着时间会发生老化 然后呢 ucc 23513块芯片对于power access control 和variation来说 比传统的光隔芯片要好 因为UCC23513这款芯片是基于容隔技术 所以说通过二氧化硅的层和层之间的间距和厚度的控制 来实现来实现隔离和信号传输 这方面 TI已经有非常丰富的经验 能够做到非常精确的控制 但是传统的光隔芯片来说 package thickness包括隔离的thickness 是会有比较大的variation的 并且对于UCC23513这款芯片来说呢 CMTI最低是100伏每纳秒 相比传统的光隔芯片35伏每纳秒 也有很明显的优势 尤其是对于目前的Igbt模块来说 新一代的IGBT模块的输入电容会做得越来越小 并且有一些电机驱动的应用里面也开始使用碳化硅模块 所以说对于CMTI的要求会越来越高 那么UCC23513这款芯片是有明显的优势的 那么因为容隔科技术对于process的control 和variation做的比较精确 所以Part和part之间的差别 UCC23513能做得非常好 是25纳秒 最高 但是因为光隔芯片那它本身的propagation delay比较长 所以说他的part和part的性能对于process的和温度的敏感性 都会比较高 所以说它的part to part speed 在100纳秒左右 所以说对于这一点来说 如果说 说是用驱动芯片来驱动 并联的模块 或者是驱动上下桥臂 然后来控制[听不清]来说 UCC23513是有优势的 并且这个stack比较小 能够帮助去降低系统损耗 下一个spec 是pulse width distortion 也是能够帮助系统降低死区时间里面的损耗 因为容隔的技术来说本身propagation delay能够做得比较低 所以pulse width distortion上升沿和下降沿的延迟的控制也能够做得非常好 那么23513这款芯片的pulse width distortion 最高是35个纳秒 但是传统光隔芯片是70个纳秒 从封装上来说 UCC23513是能够支持Group 1的材料 CTI是大于600伏的 传统的光隔是CTI大于175伏 UCC23513是有更可靠的隔离封装
课程介绍 共计2课时,33分10秒

如何提高电机驱动和逆变器应用的性能和可靠性?介绍两种简单高效的方法

TI 电机驱动 逆变器 电容隔离

如果您希望为下一个电机驱动器或逆变器设计带来创新,那么您就不能错过本次 TI 线上研讨会的机会了! 在本次线上研讨会中,我们将演示如何利用 TI 的电容隔离技术实现更高的性能和系统稳健性。无论您是在寻找简单的设计变更还是革命性的新设备,TI 都能帮助您找到提供增强您设计的解决方案
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