简介
这款测试芯片首度在7nm晶体管内加入一种叫做“硅锗”(silicon germanium,简称 SiGe)的材料,替代原有的纯硅,并采用了极紫外光(Extreme Ultraviolet,EUV)微影技术。
据悉,相较10nm,使用7nm制程后的面积将所缩小近一半,但同时因为能容纳更多的晶体管(200亿+),效能也会提升50%,从而制造出世界上最强大的芯片。
分类
电路基础
课程标签: 7nm IBM 硅锗 SiGe EUV
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