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STripFET VII DeepGATE MOSFET:80与100 V

课程介绍: STripFET™ VII DeepGATE是意法半导体采用新型沟槽栅结构的最新一代低压MOSFET,其耐压为80和100 V,在导通电阻参数方面位于业界领先水平。

课程标签: STripFET DeepGATE

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STripFET™ VII DeepGATE是意法半导体采用新型沟槽栅结构的最新一代低压MOSFET,其耐压为80和100 V,在导通电阻参数方面位于业界领先水平。
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