半导体器件物理（施敏台湾交通大学）-EEWORLD大学堂

讲师简介

施敏（Simon M·Sze）美国国籍，微电子科学技术、半导体器件物理专家，台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士，中国工程院院士，台湾中央研究院三院院士。
1936年出生，1957年毕业于台湾大学，1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位，1963年至1989年在贝尔实验室工作。2014年5月14日受聘哈尔滨工业大学荣誉教授。
施敏博士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。
他在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管（MOSFET）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，90年代初其产值已达100亿美元，是移动电话、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标，如此等等。
施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名，对半导体元件的发展和人才培养方面作出贡献。他的三本专著已在我国翻译出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册；他的著作广泛用作教科书与参考书。由于他在微电子器件及在人才培养方面的贡献，先后被选为台湾中央研究院院士和美国国家工程院院士；1991年他得到IEEE电子器件的最高荣誉奖（Ebers奖），称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。
施敏博士多次来国内讲学，参加我国微电子器件研讨会；他对台湾微电子产业的发展，曾提出过有份量的建议。他曾一再表示愿为我国微电子产业的发展提供咨询。

半导体器件物理 （施敏 台湾交通大学）

半导体器件物理（施敏台湾交通大学）