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半导体器件物理 (施敏 台湾交通大学)

MOSFET 半导体 共46课时 6小时16分23秒
简介

本课程的内容由浅而深循序渐进,从基础的物理和电容器结构的基本运作,接续讨论MOSFET及NVSM之结构与操作,可让修课的学生一窥半导体最重要元件的奥妙。

1. 半导体物理(Semiconductor Physics)
2. p-n接面的概念(p-n Junction)
3. 金氧半电容(MOS Capacitor)
4. 金氧半场效晶体管(MOSFET)
5. 非挥发性半导体内存(Non-Volatile Semiconductor Memory, NVSM)

课程目录
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讲师简介
施敏(Simon M·Sze) 美国国籍,微电子科学技术、半导体器件物理专家,台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授,美国工程院院士,中国工程院院士,台湾中央研究院三院院士。
1936年出生,1957年毕业于台湾大学,1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位,1963年至1989年在贝尔实验室工作。2014年5月14日受聘哈尔滨工业大学荣誉教授。
施敏博士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。
他在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管(MOSFET)的发明者,这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一,90年代初其产值已达100亿美元,是移动电话、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件。此外,他还有多项创造性成果,如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件,首先发现崩溃电压与能隙的关系,建立了微电子元件最高电场的指标,如此等等。
施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名,对半导体元件的发展和人才培养方面作出贡献。他的三本专著已在我国翻译出版,其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字,发行量逾百万册;他的著作广泛用作教科书与参考书。由于他在微电子器件及在人才培养方面的贡献,先后被选为台湾中央研究院院士和美国国家工程院院士;1991年他得到IEEE电子器件的最高荣誉奖(Ebers奖),称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。
施敏博士多次来国内讲学,参加我国微电子器件研讨会;他对台湾微电子产业的发展,曾提出过有份量的建议。他曾一再表示愿为我国微电子产业的发展提供咨询。

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