HVI系列 - 熟练掌握高压 MOSFET/IGBT 栅极驱动设计

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TIMOSFETIGBT高压

本篇培训材料在介绍最新的功率半导体栅极驱动的基本要求的基础上深入探讨了电路寄生参数对驱动的设计影响,对比了软开关和硬开关驱动的设计特点和区别,也深入探讨了CMTI及其PCB的优化设计指导。

共1课时1小时1分25秒

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