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MOS晶体管 (哥伦比亚大学,英文字幕)
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LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation
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课程目录
课程笔记
课时1:About_This_Course
课时2:Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor
课时3:CMOS_Processes
课时4:Semiconductors__Part_1
课时5:Semiconductors__Part_2
课时6:Semiconductors__Part_3
课时7:Conduction Part 1
课时8:Conduction Part 2
课时9:Contact_Potentials
课时10:pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias
课时11:pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1
课时12:pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2
课时13:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage
课时14:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition
课时15:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis
课时16:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion
课时17:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion
课时18:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion
课时19:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance
课时20:The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1
课时21:The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2
课时22:Introduction
课时23:Complete_AllRegion_Model
课时24:Simplified_AllRegion_Models
课时25:Strong_Inversion_Models_–_1
课时26:Strong_Inversion_Models_–_2
课时27:Strong_Inversion_Models
课时28:Weak_Inversion_Models
课时29:Source_Reference_vs._Body_Reference
课时30:Effective_Mobility
课时31:Additional_Topics
课时32:SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation
课时33:SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation
课时34:SmallDimension_Effects__Charge_Sharing
课时35:SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering
课时36:SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model
课时37:SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects
课时38:SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation
课时39:SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion
课时40:SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current
课时41:SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage
课时42:SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies
课时43:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models
课时44:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations
课时45:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1
课时46:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2
课时47:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models
课时48:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests
课时49:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation
课时50:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation
课时51:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation
课时52:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges
课时53:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time
课时54:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling
课时55:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation
课时56:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics
课时57:SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C
课时58:SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag
课时59:SmallSignal_Modeling_–Transconductance
课时60:SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance
课时61:SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits
课时62:SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties
课时63:SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set
课时64:SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model
课时65:SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model
课时66:SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model
课时67:SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison
课时68:SmallSignal_Modeling_–_RF_Models
课时69:Noise__Introduction
课时70:Noise__Thermal_Noise
课时71:Noise__HighFrequency_Considerations
课时72:Noise__Flicker_Noise
课时73:Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant
课时74:Halo_Implants
课时75:Well_Proximity_Effect
课时76:Stress_Effects
课时77:Statistical_Variability
课时78:Epilogue
时长:13分47秒
日期:2020/05/31
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上传者:桂花蒸
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课程介绍
相关标签:
MOS
circuits
课程旨在讲述MOS晶体管如何工作,以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者,而且对高性能
电路
的设计者都是必不可少的。
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