简介
东芝PCIM在线展会主要包含以下内容:
大功率器件 IEGT
无传感器 直流无刷风机控制方案
高效光伏逆变器
大功率器件 SiC混合模块
SiC MOSFET
PMI 模块封装 IEGT
PPI
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编译错误
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微控制器 MCU
对于同相比例电路放大倍数你是怎么理解的?
[font=楷体_GB2312][size=3][/size][/font][font=楷体_GB2312][size=3]对于这样标准的同相比例放大电路放大倍数的计算你是怎么理解的呢?我是从分压的角度理解的,首先,由于运算放大器虚短,故2脚电压等于3脚电压;其次,由于分压的原理我们可以得到[/size][/font][font=楷体_GB2312][size=3][/size][/font][f
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模拟电子
C2000 TMS320F28379D SCID SCIB 的配置与使用
TI的官方例程里面只给了SCIA的配置而没有给其他的SCI的配置方法 其实这些的配置都是一样的,下面以SCIB和SCID的配置为例并结合数据手册说明一下配置过程:至于一些参数为什么要向程序中那样配置可参考F28379的技术手册和博客最后面的截图(当然了也都是在技术手册中截的)注:程序中红色的代表需要注意的部分,其他颜色的对应下面相同颜色的函数实现方式/*****************系统配置**
Aguilera
微控制器 MCU
FOR 循换语句的几个疑问
FOR 循环语句可以用于VERILOG . VHDL 仿真语句,但是不能被综合器综合。据我所知,VHDL语法 FOR I IN 0 TO 30 LOOP 这种循环语句 综合器是支持的。但是 对于标准的C语句FOR 循环语句是不能综合的。只能用枚举方式进行书写表达。但在数据处理的过程,经常用FOR 循环语句进行迭代,我的问题是,有没有其他综合器支持FOR 循环语句,比如Design Compiler
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FPGA/CPLD
高亮度LED寿命的致命问题分析
1、热量管理是高亮度LED应用中的主要问题 由于III族氮化物的p型掺杂受限于Mg受主的溶解度和空穴的较高啟动能,热量特别容易在p型区域中产生,这个热量必须通过整个结构才能在热沉上消散;LED器件的散热途径主要是热传导和热对流;Sapphire衬底材料极低的热导率导致器件热阻增加,产生严重的自加热效应,对器件的性能和可靠性产生毁灭性的影响。2、热量对高亮度LED的影响 热量集中在尺寸很小的芯片
探路者
LED专区