直播回放: Nexperia 安世半导体 高功率 GaN FET 助力新一代高效的电源设计

电源转换效率是推动电力电子发展的重要因素，既是行业的关键性挑战，也是创新驱动力。氮化镓场效应晶体管具备极低的开关品质因数和非常快速的开关转换，实现高开关频率时的低损耗和高效率功率转换，能够以较低的系统成本，实现更小、更快、散热性能更优、更轻便的系统。 Nexperia采用级联结构的Cascode GaN，与传统Si-FET兼容的行业标准驱动器，驱动线路设计非常简单。采用久经考验的SMD CCPAK铜夹片封装技术，以真正创新的封装提供了业界领先的性能，同时提供顶部散热和传统的底部散热设计以增加设计灵活性并进一步提高散热能力。

• 课时1：高功率 GaN FET 助力新一代高效的电源设计 (58分5秒)