MOSFET的导通电阻

+荐课 提问/讨论 评论 收藏
  • 本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看:
  • MOSFET的导通电阻
  • 登录
我们现在来讲 MOSFET 的导通电阻 它位于书本的 5.1.2 节 我们可以看到电流由 D 流向 S 是通过单一的 N 型半导体流过的 所以它没有电导调制效应 那么三极管我们知道 它的导通管压降是 0.7V 这叫电导调制效应 而 MOSFET 的导电是单一导体 这也就等同于电阻导电的性质 那么如果想要耐压越高 就得把做厚 越厚的话导通电阻就会越大 我们来看 TI 的 低导通电阻系列的 MOSFET 开关 我们选择导通电阻小于 1.7mΩ 我们来看,结果选出五种产品 我们看它的耐压从 25V 到 40V 不等 那么这说明什么呢 说明在低压开关电源的领域 也就 25 到 40V 完全可以用低压开关电源领域 它的 MOSFET 的导通压降 我们看最小的 0.92 在控制电压高的时候小到 0.69 也就是说可以逼近 1mΩ 这个数量级 当然这也是非常优异的指标 那么 MOSFET 开关的长处是低压场合 我们来看低压的 MOSFET 的开关 它的电阻我们刚看了可以小到 1mΩ 那么我们流过 100A 的电流 导通压降就是 0.1V 功耗 10W 而同样一个 IGBT 它要流过 100A 的电流 导通压降我们取个中间值 它一点几伏到三伏的 IGBT 都有 取个中间值 2V 的话 它的功耗会达到 200W 是在低压时候是 MOSFET 有优势 但是如果应用于高压场合 高压的 MOSFET 它的导通电阻会增大 比如说达到 1Ω 那么电流还 100A 导通压降就达到 100V 功耗就达到 10kW 而 IGBT 因为它不是导通电阻的机制 它有电导调制效应 它的导通压降还是 2V 这时候它的功耗就有优势了 所以 MOSFET 它的长处是低压场合 我们下面来讲什么是同步整流 位于书本的 5.1.7 节 把 MOSFET 作为开关来使用 我们很容易理解 但是其实二极管 在电力电子电路中也是开关 当二极管导通的时候 那就相当于开关闭合 当二极管截止的时候 相当于开关断开 我们二极管导通的管压降 在低压电路中实际上是损耗的主要来源 所以在低压中我们尽量选用管压降小的 比如肖特基二极管 然而当我们的电源输出电压非常低的时候 比如说就是 2.5V、1.8V 甚至超低电压的 CPU 是 0.9V 供电 那么即使肖特基二极管的损耗也不可忽视 直接就百分之几十的效率降下来了 那么这个时候我们可以把 MOSFET 当成二极管来使用 这种方法叫同步整流 我们看图中等效出左边和右边两个二极管 那么 MOSFET 到底应该 等效为左边还是右边 由于 MOSFET 寄生二极管 D3 所以在通常用 MOSFET 的时候 我们的电流是从 D 流到 S 的 如果按照常常用法 我们当成二极管使用 就是左边这个等效为 D1 但是如果那样的话 由于寄生二极管 D3 的存在 你也就变成了正向也导通、反向也导通 就根本不是二极管的性质 正确的方案是让 MOSFET 等效为 D2 所示的二极管方向 那么当 D3 倾向于要导通的时候 我给 GS 之间加载控制电压 让 MOSFET 导通 这样的话由于 从 S 到 D 之间的管压降非常小 这个二极管 D3 根本就不能够导通 也就是说我的 MOSFET 把 D3 旁路掉了 取代了二极管的位置 我们可以看到 当 MOSFET 导通的时候 是单一的 N 型半导体参与导电 我既可以电流从 D 流到 S 也可以电流从 S 流到 D 也就是 S 流到 D 这个方向 这种用法就是拿 MOSFET 取代二极管 我们通过分析可以知道 我们是需要给 GS 之间 适当的时候去加上控制电压 而不能一直加控制电压让它导通 才能实现用 SD 导通取代二极管的目的 所以这也是为什么叫 同步控制、同步整流电路的由来 本课小结 MOSFET 的导通电阻的概念 由于参与导通的时候 参与导电的全是 N 型半导体 所以它并不像三极管那样有电导调制效应 而是单一的电阻导电性质 也就是说从 D 流到 S 你要路过一个导体 导体就会有电阻 这个路径越长 那么电阻就会越大 当然如果导电沟道越宽 导通电阻就会越小 所以 MOSFET 衡量它的导通 是个导通电阻的概念 MOSFET 的适用场合 MOSFET 它特别适用于低压场合 因为低压时候它的导通电阻可以做得非常小 小到只有 1mΩ 那么这个时候它的损耗就特别有优势 而高压的时候 MOSFET 它不是不能做高压,可以做 做完以后它的电阻会非常大 能达到欧姆级 那么这个时候 如果你还让它流过很大的电流 就会形成极大的导通压降 事实上也不可能 有一个导通电阻 1Ω 的 MOSFET 它的电流允许 100A 10kW 的耗散功率 你怎么散热都散不过来 一般达到这么大导通电阻的 MOSFET 也就几安培电流 如何利用 MOSFET 来取代二极管 也就同步整流呢 我们是把 MOSFET 当成这个方向导通的二极管来使用 也就是当我判断出 D3 应该要导通的时候 我去给 GS 之间加控制电压 让导电沟道形成 电流可以从 S 流到 D 来短路掉 D3 由于 S 到 D 它的导通压降很小 导通电阻很小 乘以电流还是很小 那么就旁路掉了 D3 这时候损耗就会特别小 这就是同步整流 这节课就到这里
课程介绍 共计7课时,45分40秒

电子电路基础知识讲座 - 电力 MOSFET

TI 电源 MOSFET 电力 开关 电子电路基础 university

推荐帖子

24LC02B有时候不能读写
MSP430F149与24LC02B I2C通讯,存储电机脉冲数据,每次动作结束的时候存储一次,用写进去再读出来的方法验证数据是否存储成功,当存储成功时,指示灯亮,不成功时,while循环再次写读指示灯闪烁。问题是:读写成功的机会是随机的,有时候能读写成功,有时候就进入while循环出不来了,不管读写多少次都无法成功,必须重启程序。请教各位可能是什么原因导致的?...
simonprince 微控制器 MCU
MSP430L092烧录方式用哪种?
大神们,现使用到MSP430L092这块芯片,请问这款推荐使用什么烧录方式?因为这款不支持SBW,没有TEST引脚。求解释,求办法。最好说明引脚接法,谢谢了。 ...
wz13625550312 微控制器 MCU
launchpad_adc10学习笔记
ADC10特性: 八通道输入,其中两通道用于测试内部VCC以及内部温度。高达200Ksps的采样率,可以软件选择内部的2.5V或1.5V作为参考电压,四种采样模式,比其他系列多出的功能最明显的就是数据传输控制器,能直接把转换结果送到用户指定的地址,而不需CPU干预,有点像DMA:ADC10的时钟源:ACLK,SMCLK,MCLK以及ADC10OSC。ADC10的转换结果数字表示:NADC...
523335234 微控制器 MCU
CCS编译优化与volatile
在保存几百K的数据参数时,因为擦写Flash的时间较长,擦写过程中没能喂看门狗而导致系统重启,写数据失败。于是我考虑改写Flash的擦写函数,在擦写过程中加入喂狗函数。我在bsl源码中找到了EVMDM642_FLASH_write()和EVMDM642_FLASH_erase(),拷贝到我的工程,修改了函数名,编译后用仿真器加载Debug版测试通过,而后将Release版烧写到DSP上测试,却发现...
灞波儿奔 微控制器 MCU

daidai245

非常好的资源,感谢分享!

2020年12月11日 13:49:42

54chenjq

电子电路基础知识讲座 - 电力 MOSFET

2020年07月15日 00:39:13

hawkier

学习了,MOS管的应用

2020年06月04日 14:29:17

大明58

电子电路基础知识讲座 - 电力 MOSFET

2020年04月17日 12:22:11

shakencity

学习学习电子电路基础知识讲座 - 电力 MOSFET

2020年02月20日 09:02:24

zwei9

看视频学习下

2019年05月31日 10:52:08

hellokt43

好好学习天天向上

2019年02月23日 14:52:45

dingxilindy

看看视频,学习一下

2019年02月13日 10:47:30

凤凰息梧桐

学习一下

2018年11月04日 16:43:14

不积极还要尝鲜

太感谢了! 我能说我都工作两三年了,看完您的讲解后才知道原理吗?=_=.这个动画太好了,形象。 我以前看的听的都是啥?是啥?是啥!

2018年10月25日 20:56:29

分享到X
微博
QQ
QQ空间
微信

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新文章 手机版

站点相关: EEWORLD首页 EE大学堂 论坛 下载中心 Datasheet 活动专区 博客

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2023 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved