HVI系列 - 熟练掌握高压 MOSFET/IGBT 栅极驱动设计

TI MOSFET 功率器件 IGBT 高压栅极驱动 HVI系列培训共1课时 1小时1分25秒

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简介

本篇培训材料在介绍最新的功率半导体栅极驱动的基本要求的基础上深入探讨了电路寄生参数对驱动的设计影响，对比了软开关和硬开关驱动的设计特点和区别，也深入探讨了CMTI及其PCB的优化设计指导。

课程目录

课时1：熟练掌握高压 MOSFET/IGBT 栅极驱动设计 (1小时1分25秒)

参考设计

参考设计-TIDM-1000 使用 C2000 MCU、基于 Vienna 整流器的三相功率因数校正参考设计

31条评论

大明58 2020年02月24日 08:48:43
熟练掌握高压 MOSFET/IGBT 栅极驱动设计
shakencity 2019年11月02日 09:03:53
熟练掌握高压 MOSFET/IGBT 栅极驱动设计
hawkier 2019年06月11日 17:19:17
学习学习
chenghu29 2019年04月24日 21:14:58
为什么看不了了？谢谢关注一下。
zly1986ZLY 2019年04月19日 07:20:24
好好学习，不错的视频！
xiaozhuang 2019年03月21日 11:50:21
努力学习，不断进步！
克隆大师 2019年01月18日 12:23:21
讲的挺细的,不知道有没有结合实例讲解下更好理解
采样电阻 2019年01月08日 09:08:23
示波器
htwdb 2018年12月30日 21:33:01
精彩视频，值得学习
采样电阻 2018年12月02日 12:30:29
签到

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