功率半导体器件

功率半导体器件是半导体器件的重要分支，与微电子芯片（集成电路芯片）一样都属于现阶段“卡脖子”范围。有人这样比喻功率半导体器件和微电子芯片之间的关系：如果微电子芯片的作用可比作人的大脑，功率半导体器件的作用可比作人的心脏，为大脑提供能源，二者缺一不可。早期的功率半导体器件，如大功率二极管、晶闸管（Thyristor, 也可称为可控硅--SCR）等主要应用于工业和电力系统，因此在国内又称为电力电子器件。典型的功率处理功能包括：变频、变压、变流、功率放大、功率管理等。随着以功率MOS器件为代表的新型功率半导体器件的迅速发展，目前以计算机、通讯、消费类产品和汽车电子为代表的4C市场占据了三分之二的功率半导体应用市场。因此，功率半导体器件早已不是人们印象中的”电力电子器件”了，它像人的心脏一样不可或缺。

        “功率半导体器件”是电子科学与技术专业的一门专业课，是省精品资源共享课“固体电子器件”的重要内容。本课程以半导体器件物理为基础，以二极管、晶闸管、功率MOSFET和IGBT为代表，分析它们工作原理、基本特性，首先建立起器件工作原理和基本特性与微观机制的内在联系。在此基础上，掌握性能与结构参数和工艺参数的内在联系，能够根据指定参数进行器件的设计。

• 课时1：说课 (7分0秒)

• 课时2：绪论 (28分55秒)

• 课时3：肖特基基本理论 (27分48秒)

• 课时4：肖特基二极管阻断特性 (10分3秒)

• 课时5：肖特基二极管通态特性 (19分41秒)

• 课时6：JBS (8分36秒)

• 课时7：PiN二极管反向阻断特性及设计 (22分21秒)

• 课时8：PiN二极管终端技术 (26分8秒)

• 课时9：PiN二极管通态特性之i区载流子分布 (11分13秒)

• 课时10：PiN二极管通态特性之i区体压降 (17分35秒)

• 课时11：PiN二极管通态特性之通态压降 (16分48秒)

• 课时12：PiN二极管反向恢复特性 (31分46秒)

• 课时13：MPS (20分24秒)

• 课时14：概述晶闸管 (23分27秒)

• 课时15：晶闸管阻断电压 (29分45秒)

• 课时16：晶闸管长基区参数设计 (21分12秒)

• 课时17：晶闸管芯片厚度的选取 (13分40秒)

• 课时18：晶闸管触发特性与触发参数的计算 (32分52秒)

• 课时19：晶闸管的通态特性 (24分18秒)

• 课时20：晶闸管的开通与特性 (33分17秒)

• 课时21：晶闸管的didt (14分40秒)

• 课时22：晶闸管的关断特性 (31分52秒)

• 课时23：晶闸管的dvdt (23分52秒)

• 课时24：晶闸管的功耗 (12分42秒)

• 课时25：功率MOSFET(1) (28分58秒)

• 课时26：功率MOSFET(2) (20分2秒)

• 课时27：功率MOSFET(3) (24分42秒)

• 课时28：IGBT（1） (12分18秒)

• 课时29：IGBT(2) (14分47秒)

• 课时30：IGBT(3) (10分31秒)

• 课时31：IGBT（4） (14分45秒)