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- Engineer It 系列:如何使用压摆率控制来降低EMI
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大家好。
我叫 Terry Allinder。
是德州仪器 (TI)的一名首席
应用工程师。
我今天在此向大家介绍我们新研发的
一款控制器,LM5140。
这款产品的主要特点之一是压摆率控制。
正确使用压摆率控制,
可以减少系统的
电磁干扰。
左边显示的是同步降压电路的原理图
右边是开关节点波形,
以及电路寄生参数造成的振铃。
现在这个振铃会
对系统产生坏的影响,因为它会产生
电磁干扰.
我们所做的是
,我们根据
CISPR 25 运行传导发射。
这些是分类限制,我们
可以看到,在30 到 108 MHz 范围内,
传导发射超出了 CISPR 限制。
如今,对于今天的大多数系统,传导发射
非常重要,因此,我们需要想办法解决
如何减少振铃,从而降低
传导发射的等级。
在过去,我们传统的做法是
通过增加MOSFET的串联电阻
来降低 FETs 的开关
时间,从而
减少开关节点的上升下降时间,
进而帮助减少振铃。
除此之外,我们还会在开关节点
和地之间加缓冲电路。
缓冲电路的作用是减小振铃,
从而帮助降低传导发射。
替代此方法可以使用具有压摆率
控制的 LM5140。
使用转换速率控制,我们所做的是
独立输出 MOSFET驱动器拉/灌
引线的引脚,让您可以独立控制
高侧和低侧MOSFET 的开通
和关断时间。
这样,您便可以更好地控制开关节点的
上升和下降时间,从而帮助减少振铃。
现在,如果正确选择了电阻,
不仅可以减少传导发射,
还能够提高系统效率。
我所做的是使用这个 EVM,同一个 EVM,
实施压摆率控制功能。
这些是我最后使用的电阻值。
对于大多数应用程序,您会发现
这确实是一个良好的开端。
所以,使用压摆率控制,
当我们观察开关节点电压时,
可以看到控制开启和关断时间,
并减少与之相关的所有振铃。
我们用压摆率控制来测试 EVM,
并测量传导发射。
这时使用了压摆率率控制。
这是我之前演示的没有压摆率控制
的情况。
这些是 CISPR的分类限制。
我们可以看到,从30 到 108 MHz 范围,
我们将传导发射减少了
至少 15 dB 毫伏。
总的来说,压摆率控制比较有优势,
我们可以看到传导发射减少了
15 dB 微伏,我们可以更好地控制开关节点
的上升和下降时间,
从而减少传导发射。
我们不仅可以减少发射,
还能够优化达到可能的最高效率。
因为我不使用缓冲电路和
其他的一些外部元件,
这样元件数量减少了。
感谢您观看本视频。
若想了解更多详情,请访问 TI.com/product/LM5140-Q1。
课程介绍
共计12课时,1小时49分25秒
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