Engineer It 系列：如何使用压摆率控制来降低EMI

[音乐播放] 大家好。 我叫 Terry Allinder。 是德州仪器 (TI)的一名首席 应用工程师。 我今天在此向大家介绍我们新研发的 一款控制器，LM5140。 这款产品的主要特点之一是压摆率控制。 正确使用压摆率控制， 可以减少系统的 电磁干扰。 左边显示的是同步降压电路的原理图 右边是开关节点波形， 以及电路寄生参数造成的振铃。 现在这个振铃会 对系统产生坏的影响，因为它会产生 电磁干扰. 我们所做的是 ，我们根据 CISPR 25 运行传导发射。 这些是分类限制，我们 可以看到，在30 到 108 MHz 范围内， 传导发射超出了 CISPR 限制。 如今，对于今天的大多数系统，传导发射 非常重要，因此，我们需要想办法解决 如何减少振铃，从而降低 传导发射的等级。 在过去，我们传统的做法是 通过增加MOSFET的串联电阻 来降低 FETs 的开关 时间，从而 减少开关节点的上升下降时间， 进而帮助减少振铃。 除此之外，我们还会在开关节点 和地之间加缓冲电路。 缓冲电路的作用是减小振铃， 从而帮助降低传导发射。 替代此方法可以使用具有压摆率 控制的 LM5140。 使用转换速率控制，我们所做的是 独立输出 MOSFET驱动器拉/灌 引线的引脚，让您可以独立控制 高侧和低侧MOSFET 的开通 和关断时间。 这样，您便可以更好地控制开关节点的 上升和下降时间，从而帮助减少振铃。 现在，如果正确选择了电阻， 不仅可以减少传导发射， 还能够提高系统效率。 我所做的是使用这个 EVM，同一个 EVM， 实施压摆率控制功能。 这些是我最后使用的电阻值。 对于大多数应用程序，您会发现 这确实是一个良好的开端。 所以，使用压摆率控制， 当我们观察开关节点电压时， 可以看到控制开启和关断时间， 并减少与之相关的所有振铃。 我们用压摆率控制来测试 EVM， 并测量传导发射。 这时使用了压摆率率控制。 这是我之前演示的没有压摆率控制 的情况。 这些是 CISPR的分类限制。 我们可以看到，从30 到 108 MHz 范围， 我们将传导发射减少了 至少 15 dB 毫伏。 总的来说，压摆率控制比较有优势， 我们可以看到传导发射减少了 15 dB 微伏，我们可以更好地控制开关节点 的上升和下降时间， 从而减少传导发射。 我们不仅可以减少发射， 还能够优化达到可能的最高效率。 因为我不使用缓冲电路和 其他的一些外部元件， 这样元件数量减少了。 感谢您观看本视频。 若想了解更多详情，请访问 TI.com/product/LM5140-Q1。