直播回放: Nexperia 理想二极管与负载开关,保障物联网的稳健高效运行
简介
安世半导体(Nexperia),作为功率器件领域的研发、生产和销售的全球领导者,持续通过创新技术为各行业注入新动力。最近,公司宣布推出了两款新型低压理想二极管。专家将深入剖析理想二极管的卓越特性,尤其是其较传统二极管更低的正向压降等关键参数。此外,探讨负载开关如何优化系统效能也是议题之一。结合实际应用案例,我们将展示这些创新产品如何满足设计者对极致能效的追求。
推荐帖子
-
基于观测器的方法在三相逆变器故障诊断中的应用
- 近年来,随着控制理论的不断完善,控制系统的故障诊断方面的研究越来越引起了人们的重视[1][2],并且相继取得了很多研究成果[3][4][7]。然而,正如文献1中所提到,动态系统的故障诊断技术,目前取得的成果主要集中在线性系统上,而针对非线性系统的研究则鲜见于文献。更为重要的是,由于理论研究中对模型所做的假设在实际应用中经常得不到满足,因此给故障诊断技术的实际应用带来了巨大的困难。文献7从理论上对这
-
zbz0529
测试/测量
-
keil5软件仿真问题
- keil5软件仿真时,我在main函数设置一个断点,然后点击run试图跳到断点处,然而却出现了下面的情况将断点设置在LED0=1语句点击run,直接跳到stm32f10x_fsmc.c,而没有跳到我们设置的断点语句处,左下角也出现了错误代号*** error 65: access violation at 0x60020000 : no 'write' permission。。再此按下run后还是
-
反倒是fdsf
stm32/stm8
-
SoC时代的多核DSP应用
- [i=s] 本帖最后由 fish001 于 2018-6-21 21:40 编辑 [/i][size=5]多核DSP 最重要的应用领域之一就是3G数字移动通信。其中包括基站和移动终端两方面的应用。基站所使用的DSP更注重高性能,对成本和功耗不是非常敏感。而移动终 端要面向具体的用户,设计时必须在功能、功耗、体积、价格等方面进行综合考虑,因此移动终端对核心处理器的要求更加苛刻。[/size][siz
-
fish001
DSP 与 ARM 处理器
-
再说MOS的主要参数
- 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V; ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。 2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BVDS
-
qwqwqw2088
电源技术
-
世界各大品牌功率器件选型表(有参考价格)
- 本文为转帖,觉得对大家有用,就转到坛子了:)功率器件的牌子很多,以MOSFET为例,有飞兆,IR ,ST ,ON,英飞凌,TOSHIBA的世界各大牌子,如何花更少的钱买到最好的东西,是我们采购也好,工程师也罢是我们追求的目标,这样才会老板满意,客户满意,供应商也满意,达到多赢共赢的目标,以高压MOSFET 10A 600V TO-220的为例,(我们不说型号,每家公司的命名不同)仙童的FQPF10
-
小猪
电源技术