MOS晶体管 （哥伦比亚大学，英文字幕）

课程旨在讲述MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。

• 课时1：About_This_Course (13分44秒)

• 课时2：Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor (13分40秒)

• 课时3：CMOS_Processes (7分31秒)

• 课时4：Semiconductors__Part_1 (14分8秒)

• 课时5：Semiconductors__Part_2 (10分59秒)

• 课时6：Semiconductors__Part_3 (7分2秒)

• 课时7：Conduction Part 1 (10分54秒)

• 课时8：Conduction Part 2 (6分58秒)

• 课时9：Contact_Potentials (8分54秒)

• 课时10：pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias (9分20秒)

• 课时11：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1 (10分58秒)

• 课时12：pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2 (8分43秒)

• 课时13：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage (10分22秒)

• 课时14：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition (14分34秒)

• 课时15：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis (13分6秒)

• 课时16：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion (11分15秒)

• 课时17：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion (6分36秒)

• 课时18：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion (9分41秒)

• 课时19：The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance (13分36秒)

• 课时20：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1 (14分32秒)

• 课时21：The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2 (17分39秒)

• 课时22：Introduction (15分33秒)

• 课时23：Complete_AllRegion_Model (14分34秒)

• 课时24：Simplified_AllRegion_Models (11分7秒)

• 课时25：Strong_Inversion_Models_–_1 (10分35秒)

• 课时26：Strong_Inversion_Models_–_2 (1分57秒)

• 课时27：Strong_Inversion_Models (15分12秒)

• 课时28：Weak_Inversion_Models (13分48秒)

• 课时29：Source_Reference_vs._Body_Reference (6分41秒)

• 课时30：Effective_Mobility (20分53秒)

• 课时31：Additional_Topics (19分38秒)

• 课时32：SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation (18分53秒)

• 课时33：SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation (15分43秒)

• 课时34：SmallDimension_Effects__Charge_Sharing (25分32秒)

• 课时35：SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering (13分30秒)

• 课时36：SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model (7分19秒)

• 课时37：SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects (13分29秒)

• 课时38：SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation (6分52秒)

• 课时39：SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion (14分16秒)

• 课时40：SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current (16分17秒)

• 课时41：SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage (11分31秒)

• 课时42：SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies (9分47秒)

• 课时43：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models (11分52秒)

• 课时44：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations (6分48秒)

• 课时45：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1 (9分5秒)

• 课时46：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2 (16分21秒)

• 课时47：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models (5分14秒)

• 课时48：Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests (4分48秒)

• 课时49：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation (10分4秒)

• 课时50：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation (10分52秒)

• 课时51：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation (4分30秒)

• 课时52：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges (9分23秒)

• 课时53：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time (5分22秒)

• 课时54：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling (13分1秒)

• 课时55：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation (13分47秒)

• 课时56：LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics (9分38秒)

• 课时57：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C (11分11秒)

• 课时58：SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag (6分58秒)

• 课时59：SmallSignal_Modeling_–Transconductance (19分30秒)

• 课时60：SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance (16分42秒)

• 课时61：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits (8分28秒)

• 课时62：SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties (20分42秒)

• 课时63：SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set (11分20秒)

• 课时64：SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model (14分45秒)

• 课时65：SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model (11分53秒)

• 课时66：SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model (15分9秒)

• 课时67：SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison (9分37秒)

• 课时68：SmallSignal_Modeling_–_RF_Models (12分17秒)

• 课时69：Noise__Introduction (7分35秒)

• 课时70：Noise__Thermal_Noise (16分58秒)

• 课时71：Noise__HighFrequency_Considerations (5分3秒)

• 课时72：Noise__Flicker_Noise (12分57秒)

• 课时73：Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant (19分17秒)

• 课时74：Halo_Implants (6分57秒)

• 课时75：Well_Proximity_Effect (4分23秒)

• 课时76：Stress_Effects (4分23秒)

• 课时77：Statistical_Variability (22分13秒)

• 课时78：Epilogue (1分49秒)