|
首页
|
电子技术
|
电子应用
|
电子头条
|
社区
|
论坛
测评
博客
电子技术视频
|
下载
|
电路图
|
参考设计
|
Datasheet
|
活动
|
直播
|
datasheet
datasheet
文章
搜索
|
首页
|
电子技术
|
电子产品应用
|
电子头条
|
论坛
|
大学堂
|
下载
|
参考设计
|
Datasheet
|
活动
|
技术直播
|
datasheet
datasheet
文章
搜索
大学堂
上传课程
首页
课程
TI培训
直播频道
专题
相关活动
其他资源
下载中心
电路图
参考设计
您的位置:
EEWORLD大学堂
/
电路基础
/
MOS晶体管 (哥伦比亚大学,英文字幕)
/
The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition
本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看:
The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition
登录
播放列表
课程目录
课程笔记
课时1:About_This_Course
课时2:Intuitive_Overview_of_the_MOS_Transistor
课时3:CMOS_Processes
课时4:Semiconductors__Part_1
课时5:Semiconductors__Part_2
课时6:Semiconductors__Part_3
课时7:Conduction Part 1
课时8:Conduction Part 2
课时9:Contact_Potentials
课时10:pn_Junctions_–_Zero_and_Forward_Bias
课时11:pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_1
课时12:pn_Junctions_–Under_Reverse_Bias_–_Part_2
课时13:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Flatband_Voltage
课时14:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Surface_Condition
课时15:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_General_Analysis
课时16:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Inversion
课时17:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Strong_Inversion
课时18:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_Weak_Inversion
课时19:The_TwoTerminal_MOS_Structure_–_SmallSignal_Capacitance
课时20:The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_1
课时21:The_ThreeTerminal_MOS_Structure_–_Part_2
课时22:Introduction
课时23:Complete_AllRegion_Model
课时24:Simplified_AllRegion_Models
课时25:Strong_Inversion_Models_–_1
课时26:Strong_Inversion_Models_–_2
课时27:Strong_Inversion_Models
课时28:Weak_Inversion_Models
课时29:Source_Reference_vs._Body_Reference
课时30:Effective_Mobility
课时31:Additional_Topics
课时32:SmallDimension_Effects__Velocity_Saturation
课时33:SmallDimension_Effects_–_Channel_Length_Modulation
课时34:SmallDimension_Effects__Charge_Sharing
课时35:SmallDimension_Effects_–_DrainInduced_Barrier_Lowering
课时36:SmallDimension_Effects_–_Combining_Several_Effects_Into_One_Model
课时37:SmallDimension_Effects_–_Hot_Carrier_Effects
课时38:SmallDimension_Effects__Velocity_Overshoot_and_Ballistic_Operation
课时39:SmallDimension_Effects__Polysilicon_Depletion
课时40:SmallDimension_Effects__QuantumMechanical_Effects;_Gate_Current
课时41:SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage
课时42:SmallDimension_Effects__Scaling_and_New_Technologies
课时43:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Approaches_and_Properties_of_Good_Models
课时44:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Model_Formulation_Considerations
课时45:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_1
课时46:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Parameter_Extraction_2
课时47:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Representative_Compact_Models
课时48:Modeling_for_Circuit_Simulation_–_Benchmark_Tests
课时49:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_QuasiStatic_Operation
课时50:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Terminal_Currents_in_QS_Operation
课时51:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Charging_Currents_in_QS_Operation
课时52:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Evaluation_of_Charges
课时53:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transit_Time
课时54:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Transient_Response_Using_QS_Modeling
课时55:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_NonQuasiStatic_Operation
课时56:LargeSignal_Dynamic_Operation_–_Extrinsic_Parasitics
课时57:SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameter_Definitions_and_Equivalent_C
课时58:SmallSignal_Modeling_–_Conductance_Parameters_Due_to_Gate_and_Body_Leakag
课时59:SmallSignal_Modeling_–Transconductance
课时60:SmallSignal_Modeling_–_SourceDrain_and_Output_Conductance
课时61:SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Definitions_and_Equivalent_Circuits
课时62:SmallSignal_Modeling_–_Capacitance_Evaluation_and_Properties
课时63:SmallSignal_Modeling_–_Complete_Capacitance_Parameter_Set
课时64:SmallSignal_Modeling_–_Complete_QuasiStatic_Model
课时65:SmallSignal_Modeling_–_yParameter_Model
课时66:SmallSignal_Modeling_–_NonQuasiStatic_Model
课时67:SmallSignal_Modeling_–_Model_Comparison
课时68:SmallSignal_Modeling_–_RF_Models
课时69:Noise__Introduction
课时70:Noise__Thermal_Noise
课时71:Noise__HighFrequency_Considerations
课时72:Noise__Flicker_Noise
课时73:Ion_Implantation_–_Threshold_Adjust_Implant
课时74:Halo_Implants
课时75:Well_Proximity_Effect
课时76:Stress_Effects
课时77:Statistical_Variability
课时78:Epilogue
时长:14分34秒
日期:2020/05/31
收藏视频
上传者:桂花蒸
去评论
课程介绍
相关标签:
MOS
circuits
课程旨在讲述MOS晶体管如何工作,以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对器件建模者,而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。
显示全部 ↓
推荐视频
用户评论
暂时无评论
猜您喜欢
推荐帖子
磁翻板液位计的放空阀和排污阀作用
一般现场当磁翻板液位计主体管道里面的脏东西多了,卡住浮子会影响测量,这个时候检修。需要将与罐体法兰之间的阀门关闭,打开液位计下端的排污阀进行排放,这个时候如果放不干净,应该是憋气了,就需要拧开堵头,通气压力就可以放干净了;如果再放不干净,那么这个时候可以拿掉堵头,从顶部灌水或灌油,冲掉脏东西,有时候需要通蒸汽吹扫堵塞物,以便于排放干净。当测量介质易燃易爆的时候,需要密闭排放。在测量水以及其他简单液
cfybhd
传感器
我想买个FPGA的开发板,请指教一二啊!
我已经系统的学习了Verilog,数电,单片机之类的也已经学完了,想好好的学习一下FPGA,想问一下,应该买Altera的还是Xilinx的,具体哪种的性价比高点?买开发板对学习有帮助吗?谢谢各位兄弟姐妹们了!
似水如烟
FPGA/CPLD
protues元件库找不到76LS07怎么办?
Protues元件库里面找不到76LS07怎么办?有什么芯片可以代替的么?我是菜鸟啊。。。。
半个灵魂
51单片机
3自由度机械臂
最近在玩这个可是只会盲调,不会核心算法,有没有大神,指教一二?
ljx123
DIY/开源硬件专区
zigbee如何设置重发次数
zigbee在发送数据不成功的时候,会启用重发机制,而这个重发机制分为:MAC重发,APSC重发,NWK重发,而APSC和NWK重发是以接收到MAC ACK为前提,否则不会重发。一、重发次数的定义应用层发出的普通数据包,若一直无响应,如果收不到MAC ACK,则重发发送次数=macPibDefaults.maxFrameRetries + 1;如果收到了MAC ACK则重发次数=NWK_MAX_D
Aguilera
RF/无线
关于方案调试的一点经验分享
前段时间看到有人分享光立方的方案心动下手了直接某创下单了PCB然后买的器件前前后后都到齐了开始贴片看原理图上有个5v转3v3的LDO实际贴上之后发现输出不对,5v输入4.7~4.8v输出难道买到坏器件了?要知道后面接的是传感器,最高电压只能到4v后来仔细看了下PCB和原理图发现了问题, PCB上的输入输出跟原理图上的输入输出是反的这泥xx, 难道是创作者犯的低级错误回去把这个问题反馈给原作者万万没
se7ens
创新实验室
推荐内容
热门视频
更多
评估零漂移放大器性能
无线安全摄像机和视频门铃中的降压 - 升压和升压转换器
神奇手套SignAloud,能将美国手语实时翻译成文字和语音
波士顿动力(Boston Dynamics)机器人集锦
物联网之UCOS操作系统基础
Atmel|SMART 基于Cortex M0+核的MCU(全中文版)
Atmel 8位AVR 产品概览
卡尔曼滤波器
一周搞定系列之数电
SpaceX“重型猎鹰”运载火箭全新概念片
开源项目推荐
更多
#第七届立创电赛#超级无敌霹雳作品
AM1G-0507SH30Z 7.2V 1 瓦 DC/DC 转换器的典型应用
使用 ROHM Semiconductor 的 BU4937 的参考设计
RT9169 100mA、4微A静态电流CMOS LDO稳压器的典型应用
LTC1911-1.5,具有停机和软启动功能的 DC/DC 转换器
使用 LTC3637EMSE 12.5V 至 76V 输入至 12V 输出、1A 降压型稳压器的典型应用
LTC1142HV、三路输出 3.3V、5V 和 12V 高效笔记本电源
OP297GSZ-REEL精密正峰值检波器的典型应用
ADR423 超精密、低噪声、3V XFET 输出电压基准的典型应用
DC2104A,LT8312EMS 演示板,90VAC = VIN = 265VAC,VOUT = 400Vdc,0.375A
热门文章
更多
首个汽车信息安全的国际标准正式发布-ISO-SAE 21434
51实验14.数码管从 000 显示到999
动力电池大逆转:磷酸铁锂产量、装车量全面反超三元
视频通话中啸叫产生的原因及解决方案
第41章 STM32F429的LTDC应用之LCD汉字显示和2D图形显示
典型示波器的构成方案框图
可能感兴趣器件
LCMXO2-256ZE-3TG100C
91900-21125LF
97-3101A28-17PW-426-940
ABM3B1-FREQ1-18-R200-2-U-T
8-1617534-8
T495B686M010AHE6007777
CAR5CLF15RBB
SIT9005ACU1H-18DF
ADG00-FW0025
VJ0603A270KXBAC5G
ES325J2AD
EB15E2E2H-2.000MTR
MCD-M1-Q-21P5L9-18.0
OS2CC09SP4XL015
MC0.063W06031%82R
1206U271D501GT-C
WF06R2871CTL
3162-1-104-29
ASTMUPLDE-18-212.500MHZ-LJ-S
1812M820G302ET
MJHS-08R1-55D-018-1A11
61110121850ST
T203L1TDZGE
7107SPYCQE
CTNS6D-C-1582AQQMB
VI-BW7N-EU
M55342K08W430JS
1808N5R6D201NX080HTM
VSMP1506223R00TCR0.2CSW
SG-8002DB80.000MHZ-PTCS:ROHS
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2023 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
用户评论