您的位置：EEWORLD大学堂 / 设计工具/EDA / VLSI设计基础（数字集成电路设计基础）（东南大学） / mos晶体管结构

   本门课是微电子专业的主干课程，专注于超大规模集成电路的设计技术，适合电子和计算机相关专业的本科生和研究生，也适合工作后需要重温专业基础知识的工程师。

课程教学内容为超大规模集成电路设计的基础理论与基本方法，从CMOS集成电路的主流技术介绍入手引入VLSI设计主要技术基础：CMOS器件基础，组合逻辑电路，时序逻辑电路，存储器设计。主要内容如下：

第一章：VLSI设计概述，了解当今VLSI系统设计的方法与技术。第二章：MOS晶体管原理：掌握MOS器件的基本结构、模型与特性，了解集成电路制造工艺过程。第三章：反相器和组合逻辑电路，掌握CMOS反相器和组合逻辑电路分析与设计方法。第四章：时序逻辑电路和同步设计技术；第五章：设计与工艺接口，了解设计与工艺的关系及接口。第六章：单元库设计技术，掌握标准单元和IO的设计，建立系统模块化设计的思想；认识集成电路的基本版图。第七章：存储器设计。第八章：低功耗专题。

本课程入选“国家精品在线开放课程”、“江苏省在线开放课程”，受“江苏高校品牌专业建设工程资助项目”资助，特此鸣谢。

本课程今年度将新增更新内容，包括更多的组合逻辑门、前沿低功耗技术、新型存储技术等。