3.5.4 甲乙类功率放大电路

+荐课 提问/讨论 评论 收藏
  • 本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看:
  • 3.5.4 甲乙类功率放大电路
  • 登录
  • 课程目录
  • 相关资源
  • 课程笔记

好,这节课我们来介绍 甲乙类功率放大电路 它位于教材的3.6.6节 图示的乙类功率放大电路 在小电流时性能良好 但是用于大功率功放电路时 会有热击穿问题 在大功率情况下 三极管 T1 和 T2 它的发热 远比二极管 D1 和 D2 要严重 因为它们的电流相差悬殊 T1 和 T2 流过的是主电流 由于-2.5 mV/℃ 的温漂作用 UBE 会随着温度的升高 而逐渐降低 但二极管的管压降 是基本不变的 造成了 T1 和 T2 同时导通 温漂的最终结果是 T1 T2 因为过流发热而损坏 这种现象就被称为热击穿 好,我们来仿真一下 添加二极管 D3 D4 来模拟二级管管压降 高于三极管 UBE 的情况 等效一下 电流表读数为256毫安 远远超过5伏电压 加载在1000欧负载上的电流 我们可以算一下 我电源电压 单端也就是5伏 负载电阻1000欧 最多也就是5毫安 可是呢 我 T1 T2 上的电流 能达到256毫安 哪来的 如此大的电流 它的来源是 T1 和 T2 同时导通产生的 这个电流并不流过负载 直接导通下去了 这么大的电流 长时间 肯定 T1 T2 扛不住 而这个电流为什么 没有进一步增大 怎么没有短路呢 是因为 R3 和 R4 对三极管基极电流的限制作用 R3 R4 的电流 控制着我们的基极电流 而基极电流 实际上呢 控制着我们的 iE 电流 因为 R3 上电流的有限值 我们的 iE 不可能无穷大 引入 R4 R5 后 电路变身为 甲乙类功率放大电路 相当于部分引入了 RE 有点像甲类功放 会有额外的功耗 但是明显小于 甲类功放 RE 上的功耗 那么我们实测看到 T1 T2 上电流 只有25.96毫安 是可以的 本课小结 乙类功放有热击穿问题 二极管发热小于三极管发热 PN 结电压不能抵消 乙类功放在大功率应用时会烧毁 T1 和 T2 上会流入比较大的电流 加入 R4 R5 可以构成甲乙类功放 它可以限制热击穿电流 好了,这节课就到这里
课程介绍 共计80课时,9小时48分45秒

电子电路基础知识讲座

电源 MOSFET 放大器 噪声 电子电路基础 university

本系列课程目前共有80讲,由青岛大学和TI德州仪器联合推出,傅强老师主讲。从模拟及电源出发,系统系列地讲解了电路设计上的基础知识,从多方面多角度给学员提供了全面学习的机会,也是工程师快速查找相关基础知识的便捷手段。

猜你喜欢 换一换

推荐帖子

电源转换器的EMI问题 — 辐射发射
       辐射电磁干扰 (EMI) 是一种在特定环境中动态出现的问题,与电源转换器内部的寄生效应、电路布局和元器件排布及其在运行时所处的整体系统相关。因此,从设计工程师的角度出发,辐射 EMI 的问题通常更具挑战性,复杂度更高,在系统主板使用多个 DC/DC 功率级时尤为如此。了解辐射 EMI 的基本机制以及测量要求、频率范围和相应限制条件至关重要。本文...
qwqwqw2088 模拟与混合信号
新型电路原理
图1所示是隔离放大器的原理电路。本隔离放大电路主要由光电耦合器和运算放大器构成。光电耦合器选用普通光耦TLP521,运算放大器则选择通用运算放大器LF353。通过这两种普通器件的搭配。所得到的隔离放大器性能和专用模拟隔离放大器的性能相近。   图1所示是放大器加普通光耦组成的隔离放大电路。本隔离放大电路由输入和隔离输出两部分构成,且两部分使用隔离的电源(Vcc1、Ve...
fish001 模拟与混合信号
锂电池充电及充电保护电路
  通过锂电池向电路系统提供3.3V电压,并具备USB充电功能及过充保护功能.         USB充电采用TP4056芯片电路实现.TP4056为单节锂离子电池恒定电流/恒定电压线性充电器,内部采用PMOSFET架构并结合防倒充电路,因此不需要外部隔离二极管.热反馈可对充电电流进行自动调节,以便在大功率操作或高温环境温度条件下对...
Aguilera 模拟与混合信号
单片机系统中最常用的三种通信协议解析
        顾名思义就是串行外围设备接口。SPI是一种高速的、全双工、同步通信总线,标准的 SPI 也仅仅使用4个引脚,常用于单片机和 EEPROM、FLASH、实时时钟、数字信号处理器等器件的通信。SPI 通信原理比 I2C 要简单,它主要是主从方式通信,这种模式通常只有一个主机和一个或者多个从机,标准的 SPI 是4根线,分别是 SSEL(片选,也写...
Aguilera 微控制器 MCU
分享到X
微博
QQ
QQ空间
微信

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新文章 手机版

站点相关: EEWORLD首页 EE大学堂 论坛 下载中心 Datasheet 活动专区 博客

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2025 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved