InnoSwitch™3-EP反激式开关IC完美集成Power Integrations的FluxLink™安全隔离通信技术，可实现小型紧凑，低元件数的电源IC设计。现在，InnoSwitch3-EP产品系列已经扩展到包括硅、PowiGaN™和SiC开关技术方案，支持商业、工业和汽车应用中的各种高效电源设计。所有InnoSwitch3器件均采用FluxLink技术，已无需光耦器和相关分立反馈元件。这利于进一步提高可靠性并减少元件数量，同时确保提供精确的输出电流和电压控制以及极快的动态响应。
共1课时39分4秒
Deep Learning course at NYU, Spring 2020. Taught by Yann LeCun & Alfredo Canziani. With practical applications using PyTorch.
共32课时1天18小时43分17秒
电源转换效率是推动电力电子发展的重要因素，既是行业的关键性挑战，也是创新驱动力。氮化镓场效应晶体管具备极低的开关品质因数和非常快速的开关转换，实现高开关频率时的低损耗和高效率功率转换，能够以较低的系统成本，实现更小、更快、散热性能更优、更轻便的系统。 Nexperia采用级联结构的Cascode GaN，与传统Si-FET兼容的行业标准驱动器，驱动线路设计非常简单。采用久经考验的SMD CCPAK铜夹片封装技术，以真正创新的封装提供了业界领先的性能，同时提供顶部散热和传统的底部散热设计以增加设计灵活性并进一步提高散热能力。
共1课时58分5秒
介绍：C2000 系列新产品为伺服及马达驱动系统带来的便利，包括集成的 Ethercat 从机、绝对值编码器数字接口、应用于分布式系统的专有高速串行总线等。同时还将介绍新增的 HIC 模块实现芯片资源的外部访问以及最新的 C2000 + GaN/SiC 数字电源参考设计
共2课时1小时8分47秒
具体介绍 TI 最新高压电源产品线及其相关技术培训，并且邀请了 TI 资深技术工程师及产品线大咖为您解决时下设计热点及前沿技术趋势等热点技术问题。
共5课时2小时45分53秒
本次课程分为两个部分，我将探讨如何利用 TI 的 GaN 功率级设计可靠的高密度电源解决方案。在第一部分，我会介绍 GaN 在电源性能方面的优势以及 TI 在 GaN 功率级中集成驱动器和保护功能的益处。在这个分成两个部分的讲解中，我会说明GaN 相较于硅超结 MOSFET 的优势以及 TI 集成功率级相较于分立式 GaN 器件的优势。第二部分将展示一些电源示例。
共2课时18分28秒
TIDA-00961方案使用了TI 600V氮化镓(GaN)功率器件LMG3410和TI Piccolo™ F280049主控芯片，其满载功率为1.6kW，最高开关频率1.2MHz，工作在（CRM）临界模式，密度高（165 x 84 x 40 mm）。 该方案具有高频高效高密度特点，是服务器、电信和工业电源等有体积限制要求电源的理想选择。另外，该方案的两相交错并联结构能够减少输入和输出的电流纹波；硬件设计能够满足传导（conducted missions），浪涌（surge）和EFT的要求，帮助工程师实现80 Plus钛金规格。
共3课时1小时5分56秒
本课程重点介绍了氮化镓(GaN)功率器件的概述, 以及深入地讨论了如何利用GaN产品进行可靠, 高密度GaN电路的设计, 特别针对99%效率的PFC以及1MHz的LLC电路设计
共1课时32分22秒
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