这款测试芯片首度在7nm晶体管内加入一种叫做“硅锗”（silicon germanium，简称 SiGe）的材料，替代原有的纯硅，并采用了极紫外光（Extreme Ultraviolet，EUV）微影技术。 据悉，相较10nm，使用7nm制程后的面积将所缩小近一半，但同时因为能容纳更多的晶体管（200亿+），效能也会提升50%，从而制造出世界上最强大的芯片。
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